15年前，全球首款碳化硅（SiC）产品由英飞凌（Infineon）引入了功率器件市场，如今SiC市场正在稳步增长。Yole Développement （以下简称YD）在其最近的报告中上调了对2020年SiC功率器件市场规模的预测。这是自2014年以来，YD第二次上调对该市场的规模预测。
在近期宣布了对Wolfspeed公司的收购之后，英飞凌（Infineon）无疑成为了SiC功率器件市场的领导者。YD有幸采访了英飞凌SiC技术部高级总监Peter Friedrichs博士，与其一同探讨了SiC业务，以及英飞凌在该领域的愿景和行动计划。
Peter Friedrichs（以下简称PF）：英飞凌在宽带隙材料领域具有很长的研发历史，是SiC技术领域经验比较丰富的领导者。英飞凌从事SiC研发已超越25年，是全球首家SiC二极管供应商，我们的SiC二极管自2001年上市以来，经过15年的市场考验，充分证明了其可靠性。早在2006年，我们便推出了首款SiC混合模组。2014年，英飞凌发布了一款SiC结型场效应管（JFET）。我们的SiC系列新产品无论在过去、现在还是未来，都保持着英飞凌一贯的高品质标准。凭借我们150mm SiC晶圆制造能力，我们即将推出首款基于英飞凌深槽技术的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
PF：咱们提供广泛的SiC产品，所有这一些产品都有其注册商标——CoolSiC，它们都享有极高的市场认可度。我们目前为600 V ~1200 V 的分立器件提供三代不同的SiC二极管，这些二极管主要使用在于太阳能领域。由于我们的SiC解决方案具有较低的能量损耗，因此往往被应用于那些很看重能效的应用。就目前来看，SiC主要使用在于太阳能、不间断电源、开关电源以及功率因素校正等应用。
YD：对于SiC二极管、 MOSFET及JFET，您认为市场增长最快的应用分别是哪些？
PF：在可再次生产的能源领域，目前有较强的趋势是将SiC应用到电池存储解决方案的降压/升压拓扑结构（buck/boost topologies）中。所以，非常明确，在中短期，我们大家都认为太阳能及储能应用将会是增长最快的细分市场。长久来看，我们确信汽车应用将会后来居上。
PF：自首款SiC器件问世以来，其主要市场挑战就没有变过。二极管及混合封装功率器件是目前的主流。但是，较新的SiC MOSFET仍需寻找自己的发展之路。基于SiC的新器件还不能直接取代原来的硅基解决方案。为促进基于SiC新器件的应用，我们从始至终努力去维持原有的应用环境，例如，维持已经广泛接受的控制操作条件等。不过，系统开发商们如果想要充分地发挥SiC器件的潜力，还是需要采用新的设计的具体方案。英飞凌一直通过种种方式在支持他们。
YD：英飞凌今年发布了深槽SiC MOSFET。请您对比一下深槽MOSFET和平面MOSFET，它们的目标市场是否一致？并预测一下它们未来的市场趋势。
PF：我们大家都认为深槽MOSFET和平面MOSFET的目标市场是一致的。但是，我们确信深槽技术将在可靠性和性能方面表现更好。因此，我们大家都认为未来将属于深槽技术。
YD：英飞凌宣布将在2017年规模量产深槽MOSFET，具体的计划是什么？
PF：一如既往，英飞凌一直遵循集成制造理念。SiC不会采用单独的前端解决方案来加工制造，而将与硅基产品加工线并线制造。该理念将使我们更灵活地确保满足日渐增长的市场需求。
PF：首款推出的CoolSiC MOSFET为1200 V单开关TO247封装，具有3引脚或4引脚输出，4引脚型因其额外的电源连接，能够逐步降低开关损耗。并且，我们还将提供一款成熟的Easy1B PressFIT封装的半桥和增压模块。
PF：我们的首款CoolSiC MOSFET将面向太阳能应用。接下来，我们将针对不一样的工业应用扩展我们的产品组合。显然，汽车应用对SiC解决方案的需求正一直增长。因此，我们也在努力开发汽车产业认可的产品。
YD：英飞凌将如何规划从Wolfspeed公司收购获得的SiC产品线？既然你们认为深槽技术将在未来占据主导地位，你们是否计划停止制造Wolfspeed公司的平面MOSFET？
PF：本次交易受限于不同司法管辖区监管部门的批准，预计将在2016年末完成交易。我们将利用这段整合过程，理清各自目标市场的有关技术。目前，没有一点计划停止任何一个产品。此次并购完成后，我们将加快创新技术的市场推广，满足能效、互联及出行等现代社会需求。
